FDS4559_F085 与 SI4559ADY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS4559_F085 | SI4559ADY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS4559_F085 | A3t-SI4559ADY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | FDS4559 Series 60 V 55 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET - SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55m Ohms@4.5A,10V | 58 mOhms @ 4.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W,3.4W |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | 4.5A/3.5A | 5.3A,3.9A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS4559_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4.5A,3.5A 55m Ohms@4.5A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO SOIC N+P-Channel 60V 4.5A/3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
￥6.2197
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0 | 对比 | ||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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