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FDN359BN_F095  与  SI2336DS-T1-GE3  区别

型号 FDN359BN_F095 SI2336DS-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDN359BN_F095 A3t-SI2336DS-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.06 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
宽度 - 1.60mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 46 毫欧 @ 2.7A,10V 42mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 10nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs ±20V 400mV
正向跨导 - 最小值 - 30S
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A(Ta) 5.2A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 1.8V,4.5V
下降时间 - 10ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF -
高度 - 1.45mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel -
系列 PowerTrench® SI2
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 15V 560pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 5V 15nC @ 8V
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN359BN_F095 ON Semiconductor 通用MOSFET

500mW(Ta) 46m Ohms@2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 2.7A(Ta) ±20V 46 毫欧 @ 2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
SI2336DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV

暂无价格 39 对比
SI2336DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV

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