FDN359BN_F095 与 SI2336DS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN359BN_F095 | SI2336DS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN359BN_F095 | A-SI2336DS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 0.06 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 500mW(Ta) | - |
| 宽度 | - | 1.60mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 46 毫欧 @ 2.7A,10V | 42mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 10nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 400mV |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 30S |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.7A(Ta) | 5.2A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 1.8V,4.5V |
| 下降时间 | - | 10ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF | - |
| 高度 | - | 1.45mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 1.8W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 20ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | PowerTrench® | SI2 |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 15V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 15V | 560pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 5V | 15nC @ 8V |
| 典型接通延迟时间 | - | 6ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 39 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN359BN_F095 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
500mW(Ta) 46m Ohms@2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 2.7A(Ta) ±20V 46 毫欧 @ 2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 39 | 对比 |
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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