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FDP8896_NL  与  SUP50N03-5M1P-GE3  区别

型号 FDP8896_NL SUP50N03-5M1P-GE3
唯样编号 A3t-FDP8896_NL A3t-SUP50N03-5M1P-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220-3
连续漏极电流Id - 50A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.1 mOhms @ 22A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.7W(Ta),59.5W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP8896_NL ON Semiconductor 未分类

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SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 5.1 mOhms @ 22A,10V 2.7W(Ta),59.5W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 30V

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