FDD2572_F085 与 SUD25N15-52-E3 区别
| 型号 | FDD2572_F085 | SUD25N15-52-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD2572_F085 | A3t-SUD25N15-52-E3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 150V, 29A, 54mO N-ch TO-252AA | Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 135 W | - |
| 宽度 | 6.22mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 146 m0hms | 52mΩ@5A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 6.73*6.22*2.39mm | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 29 A | 25A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 长度 | 6.73mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 6V,10V |
| 最高工作温度 | +175 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 高度 | 2.39mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 1770 pF @ 25 V | 150V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 135W(Tc) | 3W(Ta),136W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 系列 | PowerTrench | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1770pF @ 25V | 1725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V | 40nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD2572_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta),29A(Tc) ±20V 135W(Tc) 54m Ohms@9A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 150V 4A N-Channel 29 A 150 V 146 m0hms -20 V、+20 V DPAK (TO-252) 增强 1770 pF @ 25 V 6.73*6.22*2.39mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 13 | 对比 |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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