FDD6N50TM_WS 与 SiHD5N50D-GE3 区别
| 型号 | FDD6N50TM_WS | SiHD5N50D-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD6N50TM_WS | A3t-SiHD5N50D-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 500 V 0.9 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900m Ohms@3A,10V | 1.5 Ohms @ 2.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 89W(Tc) | 104W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 6A | 5.3A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | UniFET™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9400pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.6nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDD6N50TM_WS | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
6A(Tc) ±30V 89W(Tc) 900m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 500V 6A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SiHD5N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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