FDN337N_G 与 SI2304DDS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN337N_G | SI2304DDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN337N_G | A3-SI2304DDS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | - | SI2304DDS-GE3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ |
| 上升时间 | - | 12ns |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W |
| Qg-栅极电荷 | - | 6.7nC |
| 栅极电压Vgs | - | 1.2V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 10ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 11S |
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.6A |
| 系列 | - | SI2 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.7nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 5ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 9,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN337N_G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 9,000 | 对比 |
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SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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