NVD5803NT4G 与 SQD50N04-5M6_GE3 区别
| 型号 | NVD5803NT4G | SQD50N04-5M6_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-NVD5803NT4G | A-SQD50N04-5M6_GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.6mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 71W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-252-3,DPak,SC-63 |
| 连续漏极电流Id | - | 50A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4000pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 85nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 25 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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NVD5803NT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SQD50N04-5M6_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 50A(Tc) ±20V 71W(Tc) 5.6mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,DPak,SC-63 车规 |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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