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FDB8443_F085  与  SUM90N04-3M3P-E3  区别

型号 FDB8443_F085 SUM90N04-3M3P-E3
唯样编号 A3t-FDB8443_F085 A-SUM90N04-3M3P-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ
漏源极电压Vds - 2.5V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta),125W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-252
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 90A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5286pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 131nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDB8443_F085 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUM90N04-3M3P-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V

暂无价格 5 对比
SUM90N04-3M3P-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V

暂无价格 0 对比

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