FDC642P_F085 与 SI3443DDV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC642P_F085 | SI3443DDV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDC642P_F085 | A3t-SI3443DDV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 | Si3443DDV Series 20 V 0.047 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - TSOP-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.2W | - |
| 宽度 | 1.7mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105 m0hms | 47mΩ@4.5A,4.5V |
| 引脚数目 | 6 | - |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | - |
| 栅极电压Vgs | -8 V、+8 V | ±12V |
| 封装/外壳 | 3.0*1.7*1.0mm | TSOP |
| 连续漏极电流Id | 4 A | 4A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | 3mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 高度 | 1mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 23.2 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 630 pF @ -10 V | 20V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | P-Channel |
| 系列 | PowerTrench | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 970pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 8V |
| 典型接通延迟时间 | 7.3 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDC642P_F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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