FDP083N15A_F102 与 SUP80090E-GE3 区别
| 型号 | FDP083N15A_F102 | SUP80090E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDP083N15A_F102 | A-SUP80090E-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 150 V 8.3 mO Flange Mount PowerTrench Mosfet - TO-220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.3m Ohms@75A,10V | 9.4m Ohms@30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 294W(Tc) | 375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 105A | 128A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6040pF @ 25V | 3425pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 84nC @ 10V | 95nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
83A(Tc) ±20V 294W(Tc) 8.3m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 150V 105A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SUP80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A |
暂无价格 | 5 | 对比 |
|
|
SUP80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
