FCP190N60_GF102 与 SIHP22N60E-GE3 区别
| 型号 | FCP190N60_GF102 | SIHP22N60E-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FCP190N60_GF102 | A36-SIHP22N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 208 W | - | ||||
| 宽度 | 4.672mm | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 199 m0hms | 180 mOhms @ 11A,10V | ||||
| 引脚数目 | 3 | - | ||||
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | - | ||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||
| 封装/外壳 | 10.36*4.672*15.215mm | TO-220-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 20 A | 21A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 长度 | 10.36mm | - | ||||
| 最低工作温度 | -55 °C | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - | ||||
| 最高工作温度 | +150 °C | - | ||||
| 高度 | 15.215mm | - | ||||
| 典型关断延迟时间 | 64 ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 2220 pF @ 25 V | 600V | ||||
| 晶体管材料 | Si | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 227W(Tc) | ||||
| 晶体管配置 | 单 | - | ||||
| FET类型 | 增强 | N-Channel | ||||
| 系列 | SuperFET II | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 118 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCP190N60_GF102 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥6.842
|
118 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
