FDD86367_F085 与 SQD50N10-8M9L_GE3 区别
| 型号 | FDD86367_F085 | SQD50N10-8M9L_GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD86367_F085 | A-SQD50N10-8M9L_GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | FDD86367 Series 80 V 100 A 4.2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - DPAK-3 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2m Ohms@80A,10V | 8.99mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 2V | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 227W(Tj) | 136W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 50A | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® | SQD | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4840pF @ 40V | 2950pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 88nC @ 10V | 70nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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FDD86367_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
100A(Tc) ±20V 227W(Tj) 4.2m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
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SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
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SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
￥3.4938
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0 | 对比 |
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