FDD20AN06A0 与 SQD50N06-09L_GE3 区别
| 型号 | FDD20AN06A0 | SQD50N06-09L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD20AN06A0 | A-SQD50N06-09L_GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型-N-通道-60V-50A（Tc）-136W（Tc）-TO-252-（D-Pak） | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 90W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20 毫欧 @ 45A,10V | 9mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 136W(Tc) |
| 栅极电压Vgs(th) | - | 2.5V @ 250?A |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - | 4.5V,10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET 类型 | - | N-Channel |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 输入电容Ciss | - | 3065pF @ 25V |
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta),45A(Tc) | 50A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 栅极电荷Qg | - | 72nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 950pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 55 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD20AN06A0 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SQD50N06-09L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 50A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@20A,10V 60V 136W(Tc) ±20V 车规 |
暂无价格 | 55 | 对比 |
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