FDD24AN06LA0-F085 与 SQD40N06-14L_GE3 区别
| 型号 | FDD24AN06LA0-F085 | SQD40N06-14L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD24AN06LA0-F085 | A-SQD40N06-14L_GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 75W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19 毫欧 @ 40A,10V | 11mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 2.5V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 75W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 7.1A(Ta),40A(Tc) | 40A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | SQ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2105pF @ 25V |
| 长度 | - | 6.73mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1850pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 5V | - |
| 高度 | - | 2.38mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 65 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD24AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SQD40N06-14L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 40A 11mΩ 2.5V 车规 |
暂无价格 | 65 | 对比 |
|
|
SQD40N06-14L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 40A 11mΩ 2.5V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
