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IRF640/93  与  IRF640PBF  区别

型号 IRF640/93 IRF640PBF
唯样编号 A3t-IRF640/93 A3t-IRF640PBF-1
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.5Ω
上升时间 - 17ns
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 36W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs - 2V
典型关闭延迟时间 - 14ns
正向跨导 - 最小值 - 0.8S
封装/外壳 - TO-220AB-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.3A
系列 - IRF
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
长度 - 10.41mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 8.9ns
典型接通延迟时间 - 8.2ns
高度 - 15.49mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF640/93 ON Semiconductor 未分类

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IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

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IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

暂无价格 20 对比
IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

暂无价格 0 对比

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