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NDS0610_NL  与  TP0610K-T1-E3  区别

型号 NDS0610_NL TP0610K-T1-E3
唯样编号 A3t-NDS0610_NL A36-TP0610K-T1-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 小信号MOSFET
描述 P-Channel 60 V 10 O 1.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 360mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10Ω@500mA,10V 6 Ohms @ 500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW(Ta)
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 120mA(Ta) 185mA(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 79pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS0610_NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
TP0610K-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

185mA(Ta) P-Channel 6 Ohms @ 500mA,10V 350mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 60V

¥2.5106 

阶梯数 价格
60: ¥2.5106
100: ¥2.1369
300: ¥1.744
500: ¥1.6578
946 对比
TP0610K-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

185mA(Ta) P-Channel 6 Ohms @ 500mA,10V 350mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 60V

暂无价格 3 对比
TP0610K-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

185mA(Ta) P-Channel 6 Ohms @ 500mA,10V 350mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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