FDMS5362L_F085 与 SI7850DP-T1-E3 区别
| 型号 | FDMS5362L_F085 | SI7850DP-T1-E3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FDMS5362L_F085 | A33-SI7850DP-T1-E3 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6.2A(Ta) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 22 mOhms @ 10.3A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W(Ta) | ||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,957 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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FDMS5362L_F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V |
￥26.8404
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2,957 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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