TK33S10N1Z,LMMQ(O 与 SQD50N10-8M9L_GE3 区别
| 型号 | TK33S10N1Z,LMMQ(O | SQD50N10-8M9L_GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK33S10N1Z,LMMQ(O | A-SQD50N10-8M9L_GE3 | ||
| 制造商 | Toshiba | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.99mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | - | 2V | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 136W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | - | TO-252 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 50A | ||
| 系列 | - | SQD | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2950pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 70nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK33S10N1Z,LMMQ(O | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
|
|
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
￥3.4938
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
