BC856BWT1G 与 BC856BW_R1_00001 区别
| 型号 | BC856BWT1G | BC856BW_R1_00001 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC856BWT1G | A3-BC856BW_R1_00001 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Panjit |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA(ICBO) | - |
| 功率耗散Pd | - | 250mW |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 100mA | - |
| 功率 | 3/20W | - |
| 特征频率fT | - | 200MHz |
| 集电极-射极饱和电压 | - | -0.65V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA,100mA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 220 @ 2mA,5V | - |
| 封装/外壳 | SC-70 | SC-70,SOT-323 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55℃~150℃ |
| VCBO | - | -80V |
| 频率-跃迁 | 100MHz | - |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 65V | - |
| VEBO | - | 6V |
| 集电极连续电流 | - | -100mA |
| 集电极最大允许电流Ic | 0.1A | - |
| 直流电流增益hFE | - | 150 |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -65V |
| 晶体管类型 | - | PNP |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 39 | 30,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
暂无价格 | 39 | 当前型号 | ||||||||
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BC856BW_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70,SOT-323 250mW -65V -100mA -0.65V 150 200MHz PNP |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||
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BC856BW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 220 100MHz PNP |
暂无价格 | 5,665 | 对比 | ||||||||
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PBSS5160U,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 415mW -60V -700mA -340mV 150 185MHz PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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BC856BW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 220 100MHz PNP |
￥0.3536
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2,529 | 对比 | ||||||||
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BC856W,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA -600mV 125 100MHz PNP |
暂无价格 | 2,059 | 对比 |
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