首页 > 商品目录 > > > > SQ2315ES-T1_GE3代替型号比较

SQ2315ES-T1_GE3  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 SQ2315ES-T1_GE3 IRLML6401TRPBF
唯样编号 A36-SQ2315ES-T1_GE3 A-IRLML6401TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.5A,10V 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 5A(Tc) 4.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 4V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 9,278 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.134
100+ :  ¥1.705
750+ :  ¥1.529
1,500+ :  ¥1.441
3,000+ :  ¥1.364
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2315ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 12V 5A(Tc) ±8V 2W(Tc) 50mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

¥2.134 

阶梯数 价格
30: ¥2.134
100: ¥1.705
750: ¥1.529
1,500: ¥1.441
3,000: ¥1.364
9,278 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售