BC856BW_R1_00001 与 BC856BWT1G 区别
| 型号 | BC856BW_R1_00001 | BC856BWT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-BC856BW_R1_00001 | A36-BC856BWT1G |
| 制造商 | Panjit | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 250mW | - |
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 15nA(ICBO) |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA |
| 功率 | - | 3/20W |
| 特征频率fT | 200MHz | - |
| 集电极-射极饱和电压 | -0.65V | - |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 650mV @ 5mA,100mA |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | SC-70 |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 220 @ 2mA,5V |
| VCBO | -80V | - |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | -55°C~150°C(TJ) |
| 频率-跃迁 | - | 100MHz |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 65V |
| VEBO | 6V | - |
| 集电极连续电流 | -100mA | - |
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.1A |
| 直流电流增益hFE | 150 | - |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -65V | - |
| 晶体管类型 | PNP | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30,000 | 39 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856BW_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70,SOT-323 250mW -65V -100mA -0.65V 150 200MHz PNP |
暂无价格 | 30,000 | 当前型号 |
|
BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
暂无价格 | 39 | 对比 |
|
|
BC856BW-AU_R1_000A1 | Panjit | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70,SOT-323 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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