首页 > 商品目录 > > > > AO4264E代替型号比较

AO4264E  与  AO4264_DELTA  区别

型号 AO4264E AO4264_DELTA
唯样编号 A36-AO4264E A-AO4264_DELTA
制造商 AOS AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 28 -
Td(off)(ns) 50 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8mΩ@10V 11 mΩ @ 12A,10V
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 60V 60V
Rds On(Max)@4.5V 13.5mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3.1W(Ta)
Qrr(nC) 59 -
VGS(th) 2.4 -
Qgd(nC) 3.5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 8.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 13.5A 12A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1100 -
栅极电荷Qg - 20nC @ 4.5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 18.5 -
Coss(pF) 300 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 642 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.463
100+ :  ¥1.166
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V

¥1.463 

阶梯数 价格
40: ¥1.463
100: ¥1.166
642 当前型号
DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.25W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 10.8A(Ta)

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.849
1,250: ¥2.585
2,351 对比
AO4264 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 11mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 12A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.25W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 60V 10.8A(Ta)

暂无价格 0 对比
AO4264_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

12A(Ta) N-Channel ±20V 11 mΩ @ 12A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
AO4264_DELTA AOS  数据手册 功率MOSFET

12A(Ta) N-Channel ±20V 11 mΩ @ 12A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售