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SI4931DY-T1-GE3  与  AO4821_101  区别

型号 SI4931DY-T1-GE3 AO4821_101
唯样编号 A36-SI4931DY-T1-GE3 A-AO4821_101
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 12 V 18 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 6.7A -
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 18 mOhms @ 8.9A,4.5V -
漏源极电压Vds 12V -
Pd-功率耗散(Max) 1.1W -
Vgs(th) 1V @ 350uA -
FET类型 2P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4931DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6.7A 2P-Channel 18 mOhms @ 8.9A,4.5V 1.1W 8-SOIC -55℃~150℃ 12V

暂无价格 0 当前型号
AO4821 AOS 功率MOSFET

9A 2P-Channel 19 mΩ @ 9A,4.5V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 12V

暂无价格 0 对比
AO4821_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

P-Channel

暂无价格 0 对比

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