SQ3410EV-T1_GE3 与 IRLTS6342TRPBF 区别
| 型号 | SQ3410EV-T1_GE3 | IRLTS6342TRPBF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SQ3410EV-T1_GE3 | A-IRLTS6342TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | SQ3410EV Series 30 V 8 A Surface Mount Automotive N-Channel Mosfet - TSOP-6 | N-Channel 30 V 2 W 22 mOhm Power MosFet Surface Mount - TSOP-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 5W(Tc) | 2W(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | 6-TSOP | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A(Tc) | 8.3A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1010pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 17.5 mOhms @ 5A,10V | 17.5mΩ@8.3A,4.5V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1010pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 4,164 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) N-Channel 17.5 mOhms @ 5A,10V 5W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~175°C 30V 车规 |
￥3.1416
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4,164 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥0.8516
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1,716 | 对比 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 12 | 对比 | ||||||||||||
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IRFTS8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRLTS6342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17.5mΩ@8.3A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥0.8004
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0 | 对比 |
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