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SI4214DDY-T1-GE3  与  FDS6990A_NL  区别

型号 SI4214DDY-T1-GE3 FDS6990A_NL
唯样编号 A36-SI4214DDY-T1-GE3 A3t-FDS6990A_NL
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 8.5A -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5 mOhms @ 8A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 2N-Channel -
库存与单价
库存 656 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.969
100+ :  ¥1.518
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.518
656 当前型号
FDS8984 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥2.684 

阶梯数 价格
20: ¥2.684
100: ¥2.068
1,250: ¥1.793
2,058 对比
PHKD13N03LT,518 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS6990A_NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDS6982AS_NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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