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SI4214DDY-T1-GE3  与  AO4914_101  区别

型号 SI4214DDY-T1-GE3 AO4914_101
唯样编号 A36-SI4214DDY-T1-GE3 A-AO4914_101
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 8.5A 8A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5 mOhms @ 8A,10V 20.5 mΩ @ 8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2W
栅极电荷Qg - 18nC @ 10V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
库存与单价
库存 24,578 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.969
100+ :  ¥1.518
1,250+ :  ¥1.32
2,500+ :  ¥1.243
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.518
1,250: ¥1.32
2,500: ¥1.243
24,578 当前型号
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MD G_2 N-通道(双) 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AO4818BL AOS 功率MOSFET

8A(Ta) 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSO220N03MD G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MDGXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.7A 18.3mΩ 20V 2W 2N-Channel 30V

暂无价格 0 对比
AO4822AL AOS  数据手册 功率MOSFET

8A 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4914_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8A 2N-Channel 20.5 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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