SQD50N10-8M9L_GE3 与 TK33S10N1Z,LMMQ(O 区别
| 型号 | SQD50N10-8M9L_GE3 | TK33S10N1Z,LMMQ(O |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQD50N10-8M9L_GE3 | A3t-TK33S10N1Z,LMMQ(O |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.99mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 2V | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 136W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 50A | - |
| 系列 | SQD | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2950pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 6,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规 |
暂无价格 | 6,000 | 当前型号 |
|
AOD2810 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
|
|
AOD296A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
TK33S10N1Z,LMMQ(O | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
FDD86367_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
100A(Tc) ±20V 227W(Tj) 4.2m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
AUIRFR3710Z | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
