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BUK9Y22-60ELX  与  SQJ464EP-T1_GE3  区别

型号 BUK9Y22-60ELX SQJ464EP-T1_GE3
唯样编号 A-BUK9Y22-60ELX A3t-SQJ464EP-T1_GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 BUK9Y22-60EL/SOT669/LFPAK MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 95W(Ta) -
宽度 - 5.13mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@7.1A,10V
上升时间 - 8.9ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 44nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2592 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 60S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT669 PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 32A
配置 - Single
长度 - 6.15mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14.8 毫欧 @ 10A,10V -
Vgs(最大值) ±10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 8.8ns
高度 - 1.04mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 45W
典型关闭延迟时间 - 25.4ns
FET类型 N 通道 N-Channel
等级 汽车级 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA -
通道数量 - 1Channel
系列 - SQ
资质 AEC-Q100 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60 V -
典型接通延迟时间 - 7.7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9Y22-60ELX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT669 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规

暂无价格 0 当前型号
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

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