BUK9M20-60ELX 与 SQS660CENW-T1_GE3 区别
| 型号 | BUK9M20-60ELX | SQS660CENW-T1_GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK9M20-60ELX | A3t-SQS660CENW-T1_GE3 | ||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | BUK9M20-60EL/SOT1210/mLFPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | 79.4W(Tc) | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2941 pF @ 25 V | - | ||
| FET类型 | N 通道 | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 56 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT1210 | PowerPAK 1212-8W | ||
| 等级 | 汽车级 | - | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA | - | ||
| 资质 | AEC-Q100 | - | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 15A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±10V | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 40A(Ta) | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60 V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9M20-60ELX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1210 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 |
￥4.3961
|
0 | 当前型号 | ||||
|
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 PowerPAK 1212-8W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 PowerPAK 1212-8W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
