首页 > 商品目录 > > > > AO4482代替型号比较

AO4482  与  AO4482L_101  区别

型号 AO4482 AO4482L_101
唯样编号 A-AO4482 A-AO4482L_101
制造商 AOS AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 50 -
Td(off)(ns) 28 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 37mΩ@10V 37 mΩ @ 6A,10V
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 100V 100V
Rds On(Max)@4.5V 42mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3.1W(Ta)
Qrr(nC) 130 -
VGS(th) 2.7 -
Qgd(nC) 9 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id 6A 6A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1630 -
栅极电荷Qg - 44nC @ 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 25 -
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 18 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4482 AOS 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V 20V 6A 3.1W 37mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
AO4482L AOS  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 6A(Ta) ±20V 37mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
AO4482L_101 AOS 功率MOSFET

6A(Ta) N-Channel ±20V 37 mΩ @ 6A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售