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DMN4800LSS-13  与  AO4710L_101  区别

型号 DMN4800LSS-13 AO4710L_101
唯样编号 A36-DMN4800LSS-13 A-AO4710L_101
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9A,10V 11.8 mΩ @ 12.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.6A 12.7A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 798pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.47nC @ 5V -
栅极电荷Qg - 43nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 3,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0395
100+ :  ¥0.6919
1,250+ :  ¥0.6303
2,500+ :  ¥0.583
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
100: ¥0.6919
1,250: ¥0.6303
2,500: ¥0.583
3,500 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.035 

阶梯数 价格
30: ¥2.035
100: ¥1.628
107 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
AO4710L_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF8113 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比

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