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SQD50N10-8M9L_GE3  与  AOD2810  区别

型号 SQD50N10-8M9L_GE3 AOD2810
唯样编号 A36-SQD50N10-8M9L_GE3 A36-AOD2810
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 14
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.99mΩ 8.5mΩ@20A,10V
产品特性 车规 -
Rds On(Max)@4.5V - 12mΩ
Qgd(nC) - 4
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 11.5
封装/外壳 TO-252 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 50A 46A
Ciss(pF) - 1871
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 32
Td(off)(ns) - 21.5
漏源极电压Vds 2V 80V
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 162
VGS(th) - 3.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SQD -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
Coss(pF) - 265
Qg*(nC) - 26.5*
库存与单价
库存 0 2,923
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.124
100+ :  ¥2.607
1,250+ :  ¥2.376
2,500+ :  ¥2.266
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N10-8M9L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 50A 8.99mΩ 2V 车规

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AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55℃~175℃

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AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥3.124 

阶梯数 价格
20: ¥3.124
100: ¥2.607
1,250: ¥2.376
2,500: ¥2.266
2,923 对比
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