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V30200C-E3/4W  与  MBR10200CT-G1  区别

型号 V30200C-E3/4W MBR10200CT-G1
唯样编号 A36-V30200C-E3/4W A36-MBR10200CT-G1-1
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SBD肖特基二极管 SBD肖特基二极管
描述 V30200C Series 2 x 15 A 200 V Dual Trench MOS Schottky Rectifier - TO-220AB DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
二极管配置 - 1 对共阴极
反向电压Vr 200V 200V
产品特性 - Array
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
反向漏电流Ir 160uA 150uA
工作温度 -40℃~150℃ -
配置 1 对共阴极 -
系列 TMBS? -
制造商编码 V30200C-E3/4W -
反向峰值电压Vrrm 200V -
正向电压Vf 1.1V 950mV
正向电流If 30A 5A
二极管类型 - 肖特基
正向浪涌电流Ifsm 250A -
工作温度-结 - 150℃(最大)
库存与单价
库存 762 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥4.785
100+ :  ¥3.828
60+ :  ¥0.9514
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
V30200C-E3/4W Vishay  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-220AB 250A 200V 200V 30A 1.1V 160uA -40℃~150℃

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.828
762 当前型号
MBR10200CT-G1 Diodes Incorporated  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-220-3 150uA 200V 950mV 5A Array

¥0.9514 

阶梯数 价格
60: ¥0.9514
1,000 对比
MBR10200CT-G1 Diodes Incorporated  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-220-3 150uA 200V 950mV 5A Array

¥1.0571 

阶梯数 价格
50: ¥1.0571
200 对比
MBR20200CT-G1 Diodes Incorporated  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-220-3 150A 200V 200V 10A 0.9V 50uA -65℃~150℃

暂无价格 0 对比
MBR10200CT-G1 Diodes Incorporated  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-220-3 150uA 200V 950mV 5A Array

暂无价格 0 对比

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