SQ2315ES-T1_GE3 与 IRLML6401TRPBF 区别
| 型号 | SQ2315ES-T1_GE3 | IRLML6401TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SQ2315ES-T1_GE3 | A-IRLML6401TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | 1.3W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 5A(Tc) | 4.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 870pF @ 4V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 50mΩ@3.5A,10V | 50mΩ@4.3A,4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 12V 5A(Tc) ±8V 2W(Tc) 50mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML6401TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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