NVMFS5113PLT1G 与 SQJ459EP-T1_GE3 区别
| 型号 | NVMFS5113PLT1G | SQJ459EP-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NVMFS5113PLT1G | A3-SQJ459EP-T1_GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.13mm |
| 上升时间 | - | 19ns |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 73nC |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 40S |
| 封装/外壳 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | PowerPAK®SO-8 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | -52A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.15mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 45ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 18mΩ@-3.5A,-10V |
| 高度 | - | 1.04mm |
| 功率耗散Pd | - | 83W |
| 漏源极电压Vds | - | -60V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 88ns |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 系列 | - | SQ |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4586pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 108nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 12ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 39,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) PowerPAK®SO-8 -52A 83W 18mΩ@-3.5A,-10V -60V ±20V P-Channel 车规 |
暂无价格 | 39,000 | 对比 |
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SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) PowerPAK®SO-8 -52A 83W 18mΩ@-3.5A,-10V -60V ±20V P-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) PowerPAK®SO-8 -52A 83W 18mΩ@-3.5A,-10V -60V ±20V P-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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