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STD4NK80Z-1  与  AOU3N60_001  区别

型号 STD4NK80Z-1 AOU3N60_001
唯样编号 A-STD4NK80Z-1 A-AOU3N60_001
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-251-3 TO-251-3
连续漏极电流Id - 2.5A(Tc)
工作温度 - -50°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5 Ω @ 1.25A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 56.8W(Tc)
栅极电荷Qg - 12nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD4NK80Z-1 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251-3

暂无价格 0 当前型号
AOU3N60_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

2.5A(Tc) N-Channel ±30V 3.5 Ω @ 1.25A,10V TO-251-3 56.8W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPU60R3K4CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU60R3K4CEAKMA1_3400mΩ 600V 2.6A IPAK (TO-251) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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