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QS8J4TR  与  AON4807_001  区别

型号 QS8J4TR AON4807_001
唯样编号 A3-QS8J4TR A-AON4807_001
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ 68 mΩ @ 4A,10V
上升时间 20ns,20ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 1.9W
Qg-栅极电荷 13nC,13nC -
栅极电压Vgs 2.5V -
典型关闭延迟时间 80ns,80ns -
FET类型 - 2P-Channel
封装/外壳 TSMT-8 8-DFN(3x2)
连续漏极电流Id 4A 4A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 QS8J4 -
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
栅极电荷Qg - 10nC @ 10V
下降时间 50ns,50ns -
典型接通延迟时间 8ns,8ns -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
QS8J4TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT-8

暂无价格 100 当前型号
AON4807_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(3x2)

暂无价格 0 对比

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