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PSMQC040N10NS2_R2_00601  与  BSC040N10NS5  区别

型号 PSMQC040N10NS2_R2_00601 BSC040N10NS5
唯样编号 A-PSMQC040N10NS2_R2_00601 A-BSC040N10NS5
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4mΩ@50A,10V
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds - 100V
开发套件 - EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
Pd-功率耗散(Max) - 139W
Qg-栅极电荷 - 58nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 60S
典型关闭延迟时间 - 32ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DFN5060-8L PG-TDSON-8
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 13ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit 通用MOSFET

DFN5060-8L

暂无价格 0 当前型号
BSC040N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

PG-TDSON-8 100V 100A 4mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC057N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

100A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 80V 5.7mΩ 2.8V,2V,3.5V

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