PSMP075N15NS1_T0_00601 与 IRFB4321PBF 区别
| 型号 | PSMP075N15NS1_T0_00601 | IRFB4321PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMP075N15NS1_T0_00601 | A-IRFB4321PBF |
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | Single N-Channel 150 V 330 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 15mΩ@33A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 85A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4460pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4460pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMP075N15NS1_T0_00601 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFB4321PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 85A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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