PJT7601_R1_00001 与 DMC2004DWK-7 区别
| 型号 | PJT7601_R1_00001 | DMC2004DWK-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PJT7601_R1_00001 | A36-DMC2004DWK-7 | ||||||||
| 制造商 | Panjit | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO | Dual N & P-Channel 20 V 550 mOhm Enhancement Mode Transistor SOT-363 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.54A,0.43A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 550mΩ@540mA,4.5V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 150pF @ 16V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 250mW | ||||||||
| FET类型 | - | N+P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 21,783 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PJT7601_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N+P-Channel 20V 0.54A,0.43A |
￥0.5544
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21,783 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
￥0.6655
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209 | 对比 | ||||||||||
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DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N+P-Channel 20V 0.54A,0.43A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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