PJS6405_S1_00001 与 IRF5805TRPBF 区别
| 型号 | PJS6405_S1_00001 | IRF5805TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJS6405_S1_00001 | A-IRF5805TRPBF |
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 98mΩ |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| 最小栅阈值电压 | - | 1V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | TSOP6L |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.8A |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 长度 | - | 3mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 511pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17nC @ 10V |
| 高度 | - | 0.90mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJS6405_S1_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF5805TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.8A 98mΩ 2W TSOP6L |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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