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PJQ4476AP_R2_00001  与  PJQ4476AP-AU_R2_000A1  区别

型号 PJQ4476AP_R2_00001 PJQ4476AP-AU_R2_000A1
唯样编号 A-PJQ4476AP_R2_00001 A-PJQ4476AP-AU_R2_000A1
制造商 Panjit Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PJQ4476AP-AU
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN3333-8L
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 35A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 62W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 50,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ4476AP_R2_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

DFN3333-8L -55°C~150°C 35A 25mΩ@15A,10V 100V 62W ±20V N-Channel 车规

暂无价格 50,000 对比
BSZ160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ160N10NS3GATMA1_100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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