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PJQ4476AP_R2_00001  与  BSZ160N10NS3 G  区别

型号 PJQ4476AP_R2_00001 BSZ160N10NS3 G
唯样编号 A-PJQ4476AP_R2_00001 A-BSZ160N10NS3 G
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 16S
典型关闭延迟时间 - 22ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id - 40A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 13ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ4476AP_R2_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

DFN3333-8L -55°C~150°C 35A 25mΩ@15A,10V 100V 62W ±20V N-Channel 车规

暂无价格 50,000 对比
BSZ160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ160N10NS3GATMA1_100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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