PJQ4476AP_R2_00001 与 BSZ160N10NS3 G 区别
| 型号 | PJQ4476AP_R2_00001 | BSZ160N10NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJQ4476AP_R2_00001 | A-BSZ160N10NS3 G |
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 63W |
| Qg-栅极电荷 | - | 25nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 16S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | PG-TSDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 40A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJQ4476AP_R2_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | Panjit | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3333-8L -55°C~150°C 35A 25mΩ@15A,10V 100V 62W ±20V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 50,000 | 对比 |
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BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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