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PJW4P06A-AU_R2_000A1  与  BSP613P H6327  区别

型号 PJW4P06A-AU_R2_000A1 BSP613P H6327
唯样编号 A3-PJW4P06A-AU_R2_000A1 A-BSP613P H6327
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@4A,10V 130mΩ@2.9A,10V
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 1.8W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 2.7S
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4A 2.9A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSP613
长度 - 6.5mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 6.7ns
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
2,500+ :  ¥0.7779
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJW4P06A-AU_R2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

SOT-223 P-Channel 110mΩ@4A,10V 3.1W -55°C~150°C ±20V 60V 4A 车规

¥0.7779 

阶梯数 价格
2,500: ¥0.7779
0 当前型号
DMP6185SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 150mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 3A 车规

¥1.342 

阶梯数 价格
40: ¥1.342
100: ¥1.0384
1,250: ¥0.8789
2,500: ¥0.814
26,985 对比
BSP613P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP613PH6327XTSA1_60V 2.9A 130mΩ@2.9A,10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规

暂无价格 1,000 对比
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 125mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 4.3A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
50: ¥1.0978
55 对比
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 125mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 4.3A

暂无价格 0 对比
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 125mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 4.3A

暂无价格 0 对比

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