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PJT7828_R1_00001  与  DMN33D8LDW-7  区别

型号 PJT7828_R1_00001 DMN33D8LDW-7
唯样编号 A-PJT7828_R1_00001 A36-DMN33D8LDW-7
制造商 Panjit Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.3A 250mA
Rds On(Max)@Id,Vgs 4Ω@0.02A,1.2V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.35W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.4Ω@250mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 48pF @ 5V
栅极电压Vgs ±10V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1.23nC @ 10V
库存与单价
库存 72 374
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6019
200+ :  ¥0.3887
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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