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SQM70060EL_GE3  与  AOB2906  区别

型号 SQM70060EL_GE3 AOB2906
唯样编号 A-SQM70060EL_GE3 A-AOB2906
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ 5.9mΩ@20A,10V
上升时间 21ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 100nC -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 95S -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 75A -
配置 Single -
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 13ns -
高度 4.83mm -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 166W 187W
典型关闭延迟时间 34ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
典型接通延迟时间 13ns -
库存与单价
库存 637 775
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM70060EL_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 75A 166W 4.6mΩ 100V 1.5V 车规

暂无价格 637 当前型号
AOB2906 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 187W 5.9mΩ@20A,10V ±20V 100V -55°C~175°C

暂无价格 775 对比
AOB410L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 25V 150A 333W 6.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 110A

暂无价格 0 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 110A

暂无价格 0 对比

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