SQJ464EP-T1_GE3 与 BUK9Y22-60ELX 区别
| 型号 | SQJ464EP-T1_GE3 | BUK9Y22-60ELX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQJ464EP-T1_GE3 | A-BUK9Y22-60ELX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | BUK9Y22-60EL/SOT669/LFPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.13mm | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 95W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@7.1A,10V | - |
| 上升时间 | 8.9ns | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | 44nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2592 pF @ 25 V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 60S | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 48 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | SOT669 |
| 连续漏极电流Id | 32A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 6.15mm | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 14.8 毫欧 @ 10A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±10V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 8.8ns | - |
| 高度 | 1.04mm | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 25.4ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 等级 | - | 汽车级 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.1V @ 1mA |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | SQ | - |
| 资质 | - | AEC-Q100 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 50A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.7ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 32A 17mΩ@7.1A,10V ±20V 45W N-Channel -55°C~175°C PowerPAK® SO-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 21.5mΩ@10A,10V 65W -55°C~175°C ±10V 60V 34A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 |
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BUK9Y22-60ELX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT669 -55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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BUK9Y19-55B,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 85W 175°C 1.5V 55V 46A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 21.5mΩ@10A,10V 65W -55°C~175°C ±10V 60V 34A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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