SQJ459EP-T1_GE3 与 NVMFS5113PLT1G 区别
| 型号 | SQJ459EP-T1_GE3 | NVMFS5113PLT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQJ459EP-T1_GE3 | A-NVMFS5113PLT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.13mm | - |
| 上升时间 | 19ns | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | 73nC | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 40S | - |
| 封装/外壳 | PowerPAK®SO-8 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | -52A | - |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 6.15mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | 45ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 18mΩ@-3.5A,-10V | - |
| 高度 | 1.04mm | - |
| 功率耗散Pd | 83W | - |
| 漏源极电压Vds | -60V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 88ns | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | SQ | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4586pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 108nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 12ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SQJ459EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) PowerPAK®SO-8 -52A 83W 18mΩ@-3.5A,-10V -60V ±20V P-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥13.908
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1,372 | 对比 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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