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SQD50P06-15L_GE3  与  TJ60S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SQD50P06-15L_GE3 TJ60S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-SQD50P06-15L_GE3 A33-TJ60S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.5mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 2.5V 60 V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 100W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11.2 毫欧 @ 30A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 7760 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 156 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 60A(Ta)
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5910pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 10,000 69
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
2,000+ :  ¥4.0139
20+ :  ¥11.0965
50+ :  ¥6.564
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50P06-15L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel 50A 15.5mΩ 2.5V 车规

¥4.0139 

阶梯数 价格
2,000: ¥4.0139
10,000 当前型号
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

¥10.3778 

阶梯数 价格
20: ¥10.3778
50: ¥5.8453
100: ¥5.28
300: ¥4.8967
500: ¥4.82
1,000: ¥4.7625
1,859 对比
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥11.0965 

阶梯数 价格
20: ¥11.0965
50: ¥6.564
69 对比
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

暂无价格 0 对比

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